STAGE – Etude du circuit équivalent du transistor HEMT GaN en utilisant des mesures RF – F / H
Modifiée le 21 Novembre 2024Type de contrat
Stage EtudiantVille
Palaiseau (91120)Durée / Période
Métier
Ingénierie / Bureau d'études / R&D
Ingénierie / Bureau d'études / R&D
Chez/Pour
THALES
THALES
Mission proposée
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